4月10日上午，上海科技大学冯继成研究员应邀于理化楼401，作题为“Beyond lithography: 3D nanoprinting paradigm shift”的学术报告。该报告为“理学之美”青年论坛第536讲，由院长吴渊主持。
冯继成在报告中围绕集成电路（IC）制造领域的前沿技术挑战与创新解决方案进行了系统探讨。针对传统工艺中通过微型化组件提升算力所面临的尺寸极限、互连瓶颈及材料实现难题，他重点介绍了Aerosol智能实验室（AIL）研发的“法拉第3D打印”突破性进展。该技术通过重构电场实现三维纳米绘图，突破波长限制型工艺的固有约束，成功实现了由气溶胶向复杂纳米结构阵列的定向组装，首次提出无尺寸下限的原子级制造新路径。随后，冯继成展示了研究团队通过电场与流场的协同调控，开发出兼具多材料兼容性、晶圆级扩展性与纳米精度的打印系统，揭示了通过材料选择、几何构型、特征尺寸及阵列周期调控光学、电子与机械性能的普适性方法。冯继成最后表示，区别于传统光刻技术，法拉第3D打印在纳米电子学与纳米光子学领域的应用，标志着从平面制造向三维架构制造的范式革新。该技术在多材料集成方面的潜力为异质功能器件的设计开辟了新维度，其高自由度制造能力有望重构集成电路的研发框架。这一突破不仅为突破摩尔定律瓶颈提供了颠覆性技术方案，更通过“制造-性能”耦合设计理念，推动了纳米工程从工艺优化向架构创新的跨越，为下一代高性能计算、传感与能源器件的开发奠定了关键技术基础，具有深远的学科交叉价值与产业变革意义。
交流环节，冯继成与在场师生进行了热烈讨论，报告最终在热烈的掌声中圆满结束。
冯继成，现任上海科技大学研究员、博士生导师和AIL课题组长。国家级青年人才、上海市海外高层次引进人才；专注于3D纳米打印和原子制造系统/设备的研制，作为第一发明人已申请了PCT专利3项、中国发明专利13项；主持国家自然基金委重大研究计划(培育)和张江实验室青年创新专项；相关工作发表于Nature，Matter，Nature Communications, Advanced Materials等，多篇工作被遴选为期刊封面成果并相继被Nature Electronics, Nature Communications, Matter等亮点报道。
